会议日程
会议时间与地点
会议时间：2025年10月14日-17日
会议地点：常州星河万丽酒店
MBE2025总体日程安排
第十六届全国分子束外延学术会议（MBE2025）将于2025年10月14日-17日在常州星河万丽酒店举行。本次会议为期4天，包含注册报到、开幕式、大会报告、分组学术报告、产业论坛、企业报告、海报展示、颁奖晚宴和闭幕式等丰富内容。
会议设置了8个专题分会场，涵盖零维、一维、二维材料及器件，IV族材料及器件，III-V族外延材料及器件，II-VI族外延材料生长及器件，氮化物及宽禁带材料与器件，稀磁半导体、氧化物、超导与拓扑绝缘体及其它新型材料，新材料、新机理和新发现，在线检测/智能外延类等前沿领域。
详细日程安排
| 活动项目 | 10月14日 | 10月15日 | 10月16日 | 10月17日 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 全天 | 上午 | 下午 | 上午 | 下午 | 上午 | |
| 注册报到 | 08:30~20:00 一楼大堂 |
08:30~12:00 一楼大堂 |
12:00~19:00 一楼大堂 |
08:30~12:00 一楼大堂 |
12:00~19:00 一楼大堂 |
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| MBE会议预备会 （闭门会议） |
19:30~20:30 | - | - | - | - | - |
| 开幕式 | - | 08:30~09:00 星河厅 |
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| 大会报告 | - | 09:00~12:00 星河厅 |
13:30~14:50 星河厅 |
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| S1：零维、一维、二维材料及器件 | - | - | 15:20~17:25 澜月1厅 |
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| S2：IV族材料及器件 | - | - | - | 8:30~10:50 星河1＋2厅 |
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| S3：III-V族外延材料及器件 探测器 |
- | - | 15:50~17:30 星河1厅 |
8:30~12:00 澜月3厅 |
13:30~15:30 澜月3厅 |
8:30~11:00 星河3厅 |
| S3：III-V族外延材料及器件 激光器 |
- | - | - | - | 11:00~12:05 星河1＋2厅 |
13:30~15:35 星河1＋2厅 |
| S4：II-VI族外延材料生长及器件 | - | - | - | - | 13:30~16:05 星河3厅 |
- |
| S5：氮化物及宽禁带材料与器件 | - | - | 15:50~17:30 星河2＋3厅 |
8:30~11:55 星河3厅 |
- | - |
| S6：稀磁半导体、氧化物、超导与拓扑绝缘体及其它新型材料 | - | - | 15:20~17:45 澜月3厅 |
- | - | - |
| S7：新材料、新机理和新发现 | - | - | - | - | 13:30~15:45 澜月1厅 |
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| S8：在线检测/智能外延类 | - | - | - | 8:30~11:15 澜月1厅 |
- | - |
| 产业论坛 | - | - | - | - | - | 8:30~11:00 星河1＋2厅 |
| 企业报告 | - | - | - | - | 16:00~17:10 星河1＋2厅 |
- |
| MBE科学奖评审会 | - | - | - | - | 16:20~18:20 | - |
| 张贴海报 | - | - | - | - | 16:00~18:30 post区 |
- |
| 茶歇 | / | 10:20~10:40 | 14:50~15:10 | 10:00~10:20 | 15:30~15:50 | 10:20~10:40 |
| 午餐 | / | 11:30-13:30 燃餐厅 雾山 |
/ | 11:30-13:30 燃餐厅 雾山 |
/ | 11:30-13:30 燃餐厅 雾山 |
| 晚餐 | 17:30-20:00 燃餐厅 雾山 |
/ | 17:30-20:00 燃餐厅 雾山 |
/ | - | / |
| 颁奖晚宴 | - | - | - | - | 18:30 星河厅 |
- |
| 闭幕式 | - | - | - | - | - | 11:40~12:00 星河1＋2厅 |
会议开幕式及大会报告日程
| 10月15日 星河厅 | |
|---|---|
| 时间 | 报告题目/报告人 |
| 8:30~9:00 | 开幕式 主持人：陈建新 |
| 9:00-9:40 | 用MBE制备量子材料 贾金锋 上海交通大学 |
| 9:40-10:20 | MBE生长GaN系材料技术进展 周钧铭 中国科学院物理研究所 |
| 10:20-10:40 | 茶歇 |
| 主持人：蒋最敏 | |
| 10:40-11:20 | 基于磁性薄膜与异质结的高速类脑计算 沈健 复旦大学 |
| 11:20-12:00 | 分子束外延生长GaAs(Sb)基低维材料与光子器件研究 牛智川 中国科学院半导体研究所 |
| 主持人：张建军 | |
| 13:30~14:10 | 锑化物红外材料的分子束外延生长 龚谦 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 14:10~14:50 | 碲镉汞分子束外延材料技术与探测器进展 陈路 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 14:50~15:10 | 茶歇 |
S1分会：零维、一维、二维材料及器件
| 10月15日下午，澜月1厅 | ||
|---|---|---|
| 时间 | 稿件编号 | 报告题目/报告人 |
| 主持人：张锦川 | ||
| 15:20~15:45 | S1-IN-01 | 基于分子束外延和微纳制造技术的固态量子信息器件研究（邀请） 霍永恒 中国科学技术大学 |
| 15:45~16:10 | S1-IN-02 | 石墨烯表面传统半导体异质外延（邀请） 张燕辉 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 16:10~16:25 | S1-OR-01 | 手性边缘的硅基人工石墨烯纳米带的奇异边缘导电 詹研 复旦大学表面物理国家重点实验室 |
| 16:25~16:40 | S1-OR-02 | 基于分子束外延的电调控三五族半导体量子点 楼逸扬 中国科学技术大学 |
| 主持人：霍永恒 | ||
| 16:40~16:55 | S1-OR-03 | 超低暗电流硅基量子点波导型探测器 周坤 中国科学院半导体研究所 |
| 16:55~17:10 | S1-OR-04 | SiGe/Si(001)虚拟衬底上高迁移率锗量子线的定位生长 明铭 松山湖材料实验室 |
| 17:10~17:25 | S1-OR-05 | 硅基III-V纳米线光电探测器 张林君 浙江大学 |
S2分会：IV族外延材料生长及器件
| 10月16日上午，星河1＋2厅 | ||
|---|---|---|
| 时间 | 稿件编号 | 报告题目/报告人 |
| 主持人：龚谦 | ||
| 8:30~8:55 | S2-IN-01 | 硅基外延锗硅纳米材料/微盘结构探索（邀请） 钟振扬 复旦大学 |
| 8:55~9:20 | S2-IN-03 | 天文级甚长波红外硅基阻挡杂质带探测器研究进展（邀请） 郭家祥 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 9:20~9:45 | S2-IN-04 | 面向量子计算方向的SiGe薄膜材料分子束外延与表征（邀请） 张结印 松山湖材料实验室 |
| 9:45~10:00 | S2-OR-01 | 凹盘型锗硅微盘的特殊发光性质 杨京朴 复旦大学 |
| 10:00~10:20 | 茶歇 | |
| 10:20~10:35 | S2-OR-02 | 高温退火调控锗量子点的发光特性 罗伟 复旦大学 |
| 10:35~10:50 | S2-OR-03 | 硅基高功率InAs/GaAs量子点DFB激光器研究 刘万霖 中国科学院半导体研究所 |
S3分会：III-V族外延材料及器件（基础研究）
| 10月15日下午，星河1厅 | ||
|---|---|---|
| 时间 | 稿件编号 | 报告题目/报告人 |
| 主持人：陈意桥 | ||
| 15:50~16:15 | S1-IN-07 | 超高速 UTC 探测器及其应用（邀请） 陈佰乐 上海科技大学 |
| 16:15~16:40 | S3-IN-17 | 选择性激发对于异质界面光调制反射谱研究的应用（邀请） 查访星 上海大学 |
| 16:40~17:05 | S3-IN-19 | Phonon transport manipulation in III-V semiconductor superlattices grown by MBE（邀请） 芦红 南京大学 |
| 17:05~17:30 | S3-IN-18 | InP HEMT和DHBT材料外延及性能研究（邀请） 马奔 南京电子器件研究所 |
S3分会：III-V族外延材料及器件（激光器）
| 10月16日上午，星河1＋2厅 | ||
|---|---|---|
| 时间 | 稿件编号 | 报告题目/报告人 |
| 主持人：曹俊诚 | ||
| 11:00~11:25 | S3-IN-05 | 中远红外量子级联激光器（邀请） 张锦川 中国科学院半导体研究所 |
| 11:25~11:50 | S3-IN-21 | 硅基III-V族材料直接外延和片上光源（邀请） 韦文奇 松山湖材料实验室 |
| 11:50~12:05 | S3-OR-10 | 混合波导中红外锑化物带间级联激光器 黄建亮 中国科学院半导体研究所 |
| 10月16日下午，星河1＋2厅 | ||
|---|---|---|
| 时间 | 稿件编号 | 报告题目/报告人 |
| 主持人：陈平平 | ||
| 13:30~13:55 | S3-IN-13 | 高功率半导体激光器的外延生长与器件性能（邀请） 王俊 国防科技大学 |
| 13:55~14:20 | S3-IN-02 | 法里树锁定太赫兹量子级联激光器光频梳（邀请） 黎华 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 14:20~14:45 | S3-IN-03 | 量子级联激光器研制与模式调控（邀请） 刘俊岐 中国科学院半导体研究所 |
| 14:45~15:10 | S3-IN-04 | 锑化物中红外半导体激光器（邀请） 杨成奥 中国科学院半导体研究所 |
| 15:10~15:35 | S3-IN-01 | 基于半导体超晶格材料的太赫兹辐射源研究（邀请） 谭智勇 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
S3分会：III-V族外延材料及器件（探测器）
| 10月16日上午，澜月3厅 | ||
|---|---|---|
| 时间 | 稿件编号 | 报告题目/报告人 |
| 主持人：吴东海 | ||
| 8:30~8:55 | S3-IN-06 | 锑化物超晶格高分辨率长波红外探测器（邀请） 白治中 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 8:55~9:20 | S3-IN-11 | 基于InAs衬底的长波InAs/GaSb超晶格红外探测器研究进展（邀请） 周旭昌 昆明物理研究所 |
| 9:20~9:45 | S3-IN-09 | MOCVD生长锑化物二类超晶格材料和器件的最近进展（邀请） 黄勇 苏州晶歌半导体有限公司 |
| 9:45~10:10 | S3-IN-16 | 应用于大规模红外焦平面的铟镓砷材料（邀请） 顾溢 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 10:10~10:30 | 茶歇 | |
| 主持人：赵超 | ||
| 10:30~10:55 | S3-IN-08 | 锑化物半导体短波红外探测材料与器件研究进展（邀请） 吴东海 中国科学院半导体研究所 |
| 10:55~11:20 | S3-IN-12 | 基于MBE的化合物半导体射频电子材料研究进展（邀请） 房玉龙 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 11:20~11:45 | S3-IN-20 | 高性能锑化物超晶格红外光电探测材料与器件研究（邀请） 徐志成 中科爱毕赛思（常州）光电科技有限公司 |
| 11:45~12:00 | S3-OR-08 | InAs材料分子束外延生长和SRH寿命研究 柴旭良 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 10月16日下午，澜月3厅 | ||
|---|---|---|
| 时间 | 稿件编号 | 报告题目/报告人 |
| 主持人：顾溢 | ||
| 13:30~13:55 | S3-IN-15 | 锑化物二类超晶格APD及多光子吸收效应（邀请） 马文全 中国科学院半导体研究所 |
| 13:55~14:20 | S3-IN-10 | 集成超构表面的红外探测器研究（邀请） 邓震 中国科学院物理研究所 |
| 14:20~14:45 | S3-IN-14 | 锑化物超晶格中波长波红外材料MBE量产进展（邀请） 陈超 苏州焜原光电有限公司 |
| 14:45~15:00 | S3-OR-11 | 锑化物中短波高温红外探测分子束外延技术 王国伟 中国科学院半导体研究所 |
| 15:00~15:15 | S3-OR-12 | 高温中波锑化物超晶格外延材料与器件特性研究 廖科才 中科爱毕赛思（常州）光电科技有限公司 |
| 15:15~15:30 | S3-OR-04 | 延伸波长InGaAs探测器材料缓冲层组分优化研究 刘博文 中国科学院上海技术物理研究所 |
S3分会：III-V族外延材料及器件
| 10月17日上午，星河3厅 | ||
|---|---|---|
| 时间 | 稿件编号 | 报告题目/报告人 |
| 主持人：黄敏 | ||
| 8:30~8:45 | S3-OR-05 | MBE生长延伸波长InGaAs探测器材料的位错腐蚀坑研究 刘昊正 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 8:45~9:00 | S3-OR-15 | 带间级联激光器的三维原子探针分析 王坤 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 9:00~9:15 | S3-OR-06 | InP基锑化物超晶格拓展短波红外探测器研究 梁岩 中国科学院半导体研究所 |
| 9:15~9:30 | S3-OR-13 | 基于InGaAs n-graded-p单探测器的短波红外微型光谱仪 张锦羽 中国科学院物理研究所 |
| 9:30~9:45 | S3-OR-03 | 热退火对延伸波长1.8微米InGaAs探测器的影响研究 李水星 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 9:45~10:00 | S3-OR-14 | 高增益低暗电流随机合金InGaAs/AlInAsSb短波雪崩光电二极管 文人杰 中国科学院物理研究所 |
| 主持人：邓震 | ||
| 10:00~10:15 | S3-OR-02 | 延伸波长InGaAs探测器材料表面宏观形貌均匀性研究 周红 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 10:15~10:30 | S3-OR-01 | 瓦级3-4微米GaSb基带间级联激光器 孙瑞轩 中国科学院半导体研究所 |
| 10:30~10:45 | S3-OR-07 | 高热稳定、高功率、超窄线宽和低噪声InAs/GaAs量子点DFB激光器阵列 姜克寒 中国科学院半导体研究所 |
| 10:45~11:00 | S3-OR-09 | 带间级联激光器中二类超晶格的应力平衡与外延生长 谢景龙 南京大学 |
| 11:00~11:15 | S3-OR-16 | 单片集成超透镜的高信噪比InAs/GaSb超晶格红外探测器 岳佳鑫 中国科学院物理研究所 |
S4分会：II-VI族外延材料生长及器件
| 10月16日下午，星河3厅 | ||
|---|---|---|
| 时间 | 稿件编号 | 报告题目/报告人 |
| 主持人：孔金丞 | ||
| 13:30~13:55 | S4-IN-02 | II-VI MBE and Infrared Sensor Research at UWA（邀请） Wen Lei The University of Western Australia |
| 13:55~14:20 | S4-IN-01 | 分子束外延碲镉汞材料研制进展（邀请） 王丹 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 14:20~14:35 | S4-OR-01 | 范德华外延与远程外延Te基薄膜制备及其光电性能研究 陈翘楚 华东师范大学 |
| 14:35~14:50 | S4-OR-02 | 分子束外延的碲锌镉基碲镉汞材料缺陷与衬底相关性研究 刘仰融 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主持人：雷文 | ||
| 14:50~15:05 | S4-OR-03 | 分子束外延碲镉汞表面动力学状态调控 俞见云 昆明物理研究所 |
| 15:05~15:20 | S4-OR-04 | 基于表面重构建立的应变缓冲碲锌镉基碲镉汞薄膜外延 管崇尚 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 15:20~15:35 | S4-OR-05 | 分子束外延生长碲镉汞材料的针状缺陷控制 殷若桐 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 15:35~15:50 | S4-OR-06 | 低偏置线性倍增雪崩光电二极管结构的设计与实现 李俊 昆明物理研究所 |
| 15:50~16:05 | S4-OR-07 | 碲镉汞多层异质结红外探测器研究现状与发展趋势 郭慧君 中国科学院上海技术物理研究所 |
S5分会：氮化物及宽禁带材料与器件
| 10月15日下午，星河2+3厅 | ||
|---|---|---|
| 时间 | 稿件编号 | 报告题目/报告人 |
| 主持人：樊士钊 | ||
| 15:50~16:15 | S5-IN-01 | Domain Walls In Nitride Ferroelectrics（Invited） 王丁 北京大学 |
| 16:15~16:40 | S5-IN-02 | 基于氮化镓纳米线光电传感和仿生器件（邀请） 孙海定 中国科学技术大学 |
| 16:40~17:05 | S5-IN-03 | 氮化物半导体分子束外延与精细异质结构（邀请） 王科 南京大学 |
| 17:05~17:30 | S5-IN-04 | 氮化物半导体电子材料分子束同质外延研究（邀请） 薛军帅 西安电子科技大学 |
| 10月16日上午，星河3厅 | ||
|---|---|---|
| 时间 | 稿件编号 | 报告题目/报告人 |
| 主持人：王科 | ||
| 8:30~8:55 | S5-IN-05 | 稀土掺杂/合金化的氮化物第三代半导体材料外延生长与器件应用（邀请） 樊士钊 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 8:55~9:20 | S5-IN-06 | GaN基Micro-LED制备与集成器件（邀请） 杨文献 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 9:20~9:35 | S5-OR-01 | III族氮化物MBE二次外延技术及其应用 卢双赞 湖北九峰山实验室 |
| 9:35~9:50 | S5-OR-02 | 基于MBE的共振隧穿二极管中异质界面缺陷研究 邱海兵 中北大学 |
| 9:50~10:05 | S5-OR-03 | GaN HEMT Epitaxy With Breakdown Voltage >1000V Grown by MBE ZC Yang MASSPHOTON LIMITED, Hong Kong |
| 10:05~10:25 | 茶歇 | |
| 主持人：芦红 | ||
| 10:25~10:40 | S5-OR-04 | Si衬底上高质量AlN成核层的PAMBE生长技术 洪昊 埃特曼半导体技术有限公司 |
| 10:40~10:55 | S5-OR-05 | 图形衬底诱导的AlN极性反转 张高俊 埃特曼半导体技术有限公司 |
| 10:55~11:10 | S5-OR-06 | 耐高温宽禁带半导体紫外探测器 朱勇学 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 11:10~11:25 | S5-OR-07 | 金属调制外延下AlN薄膜MBE生长研究 李现旭 季华实验室 |
| 11:25~11:40 | S5-OR-08 | NH3-MBE在氮化物生长中的应用 苏展 埃特曼半导体技术有限公司 |
| 11:40~11:55 | S5-OR-09 | ScAlN/GaN异质结外延生长与器件研究 殷宇豪 中国科学院苏州纳米所 |
S6分会：稀磁半导体、氧化物、超导与拓扑绝缘体等
| 10月15日下午，澜月3厅 | ||
|---|---|---|
| 时间 | 稿件编号 | 报告题目/报告人 |
| 主持人：钟振扬 | ||
| 15:20~15:45 | S6-IN-01 | 磁性拓扑超晶格体系的分子束外延生长与自旋调控（邀请） 寇煦丰 上海科技大学 |
| 15:45~16:10 | S6-IN-02 | 氧化物分子束外延在镍基超导薄膜研究中的应用（邀请） 聂越峰 南京大学 |
| 16:10~16:35 | S6-IN-03 | 拓扑量子器件的分子束外延生长（邀请） 何珂 清华大学 |
| 主持人：寇煦丰 | ||
| 16:35~17:00 | S6-IN-04 | 半导体/超导体异质界面的原子构造及拓扑量子计算研究新进展（邀请） 潘东 中国科学院半导体研究所 |
| 17:00~17:15 | S6-OR-01 | TiN基拓扑超导异质结的非原位可循环制备 解忍杰 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 17:15~17:30 | S6-OR-02 | 氧（氮）化物薄膜的分子束外延生长和超导性质研究 李逢苗 中国科学技术大学 |
| 17:30~17:45 | S6-OR-03 | 拓扑绝缘体/超导体异质结的制备与物性研究 武浩东 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
S7分会：新材料、新机理与新物理发现
| 10月16日下午，澜月1厅 | ||
|---|---|---|
| 时间 | 稿件编号 | 报告题目/报告人 |
| 主持人：刘俊岐 | ||
| 13:30~13:55 | S7-IN-01 | III-V族半导体中涌现的手性引力子的实验发现（邀请） 杜灵杰 南京大学 |
| 13:55~14:20 | S7-IN-02 | 基于半导体量子结构的少光子探测器及其在红外被动近场显微镜中的应用（邀请） 翁钱春 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 14:20~14:45 | S7-IN-03 | 激光图形化诱导纳米结构阵列"外延/光刻"同步解决方案（邀请） 彭长四 苏州大学 |
| 14:45~15:10 | S7-IN-04 | 面向规模集成的定位量子点材料和器件物理（邀请） 金潮渊 浙江大学 |
| 主持人：徐刚毅 | ||
| 14:45~15:00 | S7-OR-01 | 半导体可饱和吸收镜的研究及超快激光器的研制新进展 蒋成 青岛大学 |
| 15:00~15:15 | S7-OR-02 | 集成传感与逻辑运算功能p-GaN/ZnGa2O4/BaTiO3/n-ITO异质结铁电光电存储器 杨佳霖 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 15:15~15:30 | S7-OR-03 | BTO MBE growth on 300 mm Si wafers – Production Processing for Photonic Applications Martyn Green DCA Instruments Oy |
| 15:30~15:45 | S7-OR-04 | 高性能VO2耦合光子晶体实现动态红外限幅与稳定的近红外滤波 李建军 中国科学技术大学 |
S8分会：原位表征与智能外延
10月16日上午 - 澜月1厅
| 时间 | 稿件编号 | 报告题目/报告人 |
|---|---|---|
| 主持人：陈路 | ||
| 8:30~8:55 | S8-IN-01 | III-V族半导体材料和器件智能化异质外延（邀请） 赵超 中国科学院半导体研究所 |
| 8:55~9:30 | S8-IN-02 | 基于AI的锑化物光电材料仿真和外延技术进展（邀请） 芦鹏飞 北京邮电大学 |
| 9:30~9:55 | S8-IN-03 | 分子束外延自动化与智能化生产技术进展（邀请） 王勇 苏州焜原光电有限公司 |
| 9:55~10:10 | S8-OR-01 | 分子束外延原位椭圆偏振光谱技术研究 杨辽 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 10:10~10:30 | 茶歇 | |
| 主持人：马文全 | ||
| 10:30~10:45 | S8-OR-02 | 分子束外延原位电子显微镜及其应用 唐文新 长三角先进材料研究院 |
| 10:45~11:00 | S8-OR-03 | 射频等离子体源的开发与应用 张培宣 费勉仪器科技（南京）有限公司 |
| 11:00~11:15 | S8-OR-04 | 用于AIN生长的红外测温监控技术 李毅凡 埃特曼半导体有限公司 |
产业论坛
10月17日上午 - 星河1+2厅
| 时间 | 报告题目/报告人 |
|---|---|
| 主持人：徐志成 | |
| 8:30~8:45 | 锑化物超晶格探测器产业化进展 曹高奇 中航凯迈（上海）红外科技有限公司 |
| 8:45~9:00 | 铟镓砷制冷型短波红外探测器研制进展 刘大福 无锡中科德芯感知科技有限公司 |
| 9:00~9:15 | GaSb与InAs单晶衬底发展现状与挑战 沈桂英 中科院半导体研究所 |
| 9:15~9:30 | 国产化碲镉汞分子束外延设备的研制技术 王善力 昆明物理研究所 |
| 9:30~9:45 | 锑化物HOT红外探测器进展与挑战 周文洪 武汉高芯科技有限公司 |
| 9:45~10:00 | MBE外延技术：赋能下一代光子芯片的产业化之路 杨骏捷 湖南汇思光电科技有限公司 |
| 10:00~10:15 | 基于二类超晶格的延伸波长红外探测器开发 詹健龙 浙江焜腾红外技术股份有限公司 |
| 10:15~10:30 | 图谱协同的红外傅里叶光谱成像仪 顾明剑 中科技术物理苏州研究院 |
| 10:30~10:45 | 基于先进读出架构的红外系统集成与创新应用 余乐 常州光电技术研究所 |
| 10:45~11:00 | 锑化物超晶格红外光电材料与器件批产技术探讨 王亮 中科爱毕赛思（常州）光电科技有限公司 |
企业报告
10月16日下午 - 星河1+2厅
| 时间 | 报告题目/报告人 |
|---|---|
| 16:00~16:20 | 化合物半导体外延生长技术与装备发展 吕文利 湖南烁科晶磊半导体科技有限公司 |
| 16:20~16:30 | 焜原光电 MBE 材料产业化进展 艾常涛 苏州焜原光电有限公司 |
| 16:30~16:40 | Riber latest innovations for process control Mrs Claudine Paye 磊备半导体科技（上海）有限公司 |
| 16:40~16:50 | 中科仪MBE装备国产化开发进展 王启佳 中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司 |
| 16:50~17:00 | 分子束外延及解理钝化设备研制 高汉超 费勉仪器科技(南京)有限公司 |
| 17:00~17:10 | A Next-Generation Multi-Wafer 4" MBE Platform for Optimized Material Efficiency Dr. Martin Heiss Dr. Eberl MBE-Komponenten GmbH |